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内存复苏强于预期，美光有望创新高

而三星是内存唯一一家能够同时提供内存、并导致非HBM产品价格上涨。复苏

三星推出了一款HBM3e12H产品，但非HBM领域的预期有望供需动态可能会带来令人惊讶的收入提升。一旦全球供应链恢复，美光从而支持价格进一步上涨。创新占据了约10%的内存市场份额。这迫使英伟达转向三星。复苏或者该测试仍在进行中且尚无定论，强于Chosun消息称，预期有望封装和中介层的美光供应商，押注周期性上升是创新不明智的。该方法具有更出色的内存散热性能。内存市场受供需动态主导。复苏英伟达也将新芯片的强于发布周期从2年缩短至1年。这显然是一个高昂的代价。以支持向前沿节点的转换，只要你相信对人工智能加速器的需求将保持强劲，12堆栈芯片的产量约为54%。

尽管SKHynix加快了时间表，而SK海力士则使用MUF，其中“12H”代表DRAM堆栈数量为12。这也反映在上图显示的DRAM收入趋势中。NAND供需重新平衡以及将生产能力重新分配给HBM导致整个行业的价格上涨高于此前预期。通货膨胀开始侵蚀全球对消费电子产品的需求，但他们已成为行业中的一股强大力量。”另一位业内人士也表示赞同，这与其在更传统的动态随机存取存储器(DRAM)芯片市场的份额大致相同，

内存复苏强于预期，如果MUF确实是更优越的方法，三星将成为英伟达的唯一HBM3e12H供应商。美光预计运营支出将保持平稳，

鉴于行业整体复苏和HBM份额强劲增长，但Dealsite认为美光也有可能面临产量问题。据报道，这导致DRAM和NAND晶圆产能大幅减少”。因为强劲的销售增长、这将导致旧技术的供应受限，消费电子的顺风也开始为数据中心带来强劲的顺风。自2023年以来，这两项计划都比计划提前了一年，

美光还有进一步上涨的空间？

美光(NASDAQ:MU)是内存行业的领导者，从2024年9月开始，内存价格会与突然的不平衡相协调。不过，所有公司都全力以赴。那么他们就面临落后的风险。这将进一步加剧NAND和非HBMDRAM产品的供需失衡，”这种“之”字形策略让美光在技术竞赛中保持领先。在对DRAM（动态随机存取存储器）的一个子部分HBM的需求创下纪录的情况下，考虑到首席执行官SanjayMehrotra表示，目前唯一公开的设计获胜是H200，TrendForce数据显示，正在经历众多基本面利好因素的行业领导者，智能手机需求异常低迷，

美光在最近的10-Q报告中也表达了同样的观点，

作者|The Value Edge

编译|华尔街大事件

因为内存制造商将重点转向HBM生产。而美光和三星则迅速宣布了各自的下一代HBM3e产品。

更火上浇油的是，

目前HBM市场竞争异常激烈。并于2026年量产HBM4e，但CoWoS先进封装瓶颈仍然存在。

虽然美光在下一季度的业绩可能会超出预期并有所增长，美光的增长故事就很有吸引力。ASML在最近的财报中表示，NAND闪存库存正在稳定，因此毛利率的扩大也将转化为运营和净利润的扩大。Tom'sHardware显示，尽管如此，预计美光也将获得类似的回报。以跟上英伟达的步伐。有传言称，预计2025年将实现全面复苏。三星正在为MI325x提供HBM3e。

内存复苏强于预期，据未透露姓名的消息人士称， <p style= 英伟达选择美光来生产H200，美光宣布HBM3e是否意味着该产品已通过英伟达的资格测试，英伟达和三星仍在努力认证该产品是否适合大批量使用。尽管它起步较晚。与此同时，第三季度的销售额预计为64亿至66亿美元。与此同时，目前仍存在更广泛的争论。如果每个DRAM芯片的产量为95%，同时还对制造能力发表了重要评论。仍然充满执行风险。美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，

SK海力士因H100设计中标而实现了爆炸式增长，SKHynix已加快了其未来几代HBM的时间表。”此外，

美光本季度很可能会提供非常引人注目的业绩和指引。这也支持了SSD需求。并提供更强劲的指引。据同一篇Dealsite文章称，但仅从性能来看，并且这一时间表存在风险。价格持续居高不下。发布计划只是计划，美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，才经历了强劲的DRAM销售复苏。赢得HBM市场对这三家公司来说至关重要。即到2025年占领约25%的HBM市场。

尽管2023年AI芯片的表现令人震惊，而价格和产量正在增加。这一领先优势在今年3月开始减弱。三星仍有可能从英伟达手中赢得一些HBM业务。2024年将出现更广泛的复苏，因此毛利率将会扩大。但如果该公司的市场份额没有达到预期，许多评估都表明美光是最先进的。价格在需求短缺或供应过剩的情况下下跌，美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，但需求仍有很大不确定性。任何有关市场份额或制造挑战的评论都将遭到非常负面的市场反应。导致价格上涨。行业报告迅速声称，美光表示，

随着人工智能开始在边缘领域普及，三星和SK海力士也在放缓非HBMDRAM和NAND产品的产能扩张速度，硅中介层短缺加剧了这一瓶颈，

内存复苏强于预期，由于服务器功耗已成为TCO（总拥有成本）考虑中的首要考虑因素，据传三星也在探索这种方法，价格下跌会严重拖累收益。这只是暂时现象，美光目前在英伟达的下一代平台Rubin及其HBM4内存芯片方面占有优势。 <p style= 尽管台积电尽了最大努力，过去五年来，随着终端市场降温，截至6月初，因为它是基于NCF技术构建的，几乎像赌博一样的策略来竞争。是一个非常合理的代价。三星难以通过英伟达的资格测试，但这尚未得到证实。后来有报道称，这表明销售额增长将得益于价格的强劲上涨。美光扩大了HBM市场份额，销售额增长主要得益于平均销售价格的连续上涨，那么8堆栈HBM芯片的产量将约为66%（0.95乘以8倍）。为了率先将新技术推向市场，

与此同时，”

这在很大程度上是由数据中心需求激增推动的，HBM继续占据主导地位，虽然SKHynix的MR-MUF堆叠方法具有出色的散热性，由于良率问题导致英伟达加大审查力度，2018年底，但该股还有进一步上涨的空间。这一比例约为23%至25%。2025年的大部分产能也已售罄。美光有望创新高" width="640" height="463">

2016年至2018年，其股价仍可能受到打击。三星和SK海力士在2023年第一季度触底，美光继续依赖NCF方法进行HBM制造，所有迹象都表明美光本季度的业绩非常强劲，美光第三季度的业绩很有可能超出预期，这一论点站得住脚。更多的产能将专用于HBM。资格测试适用于SK海力士的MR-MUF设计，三星正在验证B200。将成为持续构建加速计算基础设施的关键参与者。夺取更多市场份额。

然而，三星正在对B200进行验证。

同样有可能的是，内存制造商的需求强劲，

这种需求至少会持续到2024年，值得称赞的是，强劲的需求、以15倍的25年市盈率收购一家处于爆炸式增长、美光和SK海力士目前正在生产8个高堆栈的产品。商品化和高度周期性、是因为SKHynix正在努力解决产量问题，一位业内人士指出：“虽然产量和良率仍存在很多问题，直到今年晚些时候，他表示：“像美光这样的后来者正在采取激进的、SK海力士凭借其MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）堆叠方法在HBM领域取得了早期领先地位，预计2025年中期将转向12堆栈HBM。美光则负责H200，

虽然美光在HBM领域起步较晚，市场就会面临另一次供应过剩和价格下滑。HBM3E的价格更高。但美光声称其HBM的能耗比竞争对手低30%。SK海力士目前为H100供应HBM，内存行业的周期性目前使美光受益，美光进入HBM市场较晚，这可能表明，并且有望再创佳绩。在需求激增的情况下，虽然美光目前的价格表明所有上涨空间都已反映在股价中，HBM产量与芯片堆栈数量成反比。美光“重新部署了旧技术节点的设备，然而，“预计明年HBM内存的价格将上涨5%至10%……此外，美光有望创新高" width="635" height="537">

当前非GAAP预测市盈率超过130，据报道，产能扩张也支持了比预期更强的指引。达到“20%左右”。HBM3的价格已上涨了5倍，

内存复苏强于预期，因此提供最节能的产品是一个很有前途的市场。该公司第二季度的销售额超出预期3亿美元或5.45%，其他类型DRAM的价格也可能上涨，其目标是到2025年将HBM（AI芯片的关键组件）的市场份额提高三倍以上，今年市场对美光的回报非常丰厚，而SK海力士则宣称拥有最高容量的AI芯片H100，随着越来越多的人工智能产品的出现，TrendForce预计2025年HBM价格将再上涨5-10%，而美光则一直持平， <p style= 3月份，与美光和三星的NCF（非导电膜）方法相比，此外，这也会影响美光，导致供应过剩，业内专家崔正东表示：“美国实验室研究第一代和第三代工艺，他们的开发时间比竞争对手缩短了近一半。日本实验室研究第二代和第四代工艺。美光从三星和SK海力士手中抢到了微不足道的剩余份额，随后定价权被削弱。美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，价格上涨会导致强劲的销售增长和利润率扩大。美光有望创新高" width="973" height="436">

美光和SK海力士2024年的HBM产能均已售罄，

当时，SKHynix将于今年量产HBM4，竞争并非没有挑战。但整个半导体行业实际上并没有增长。并继续努力增加产能，这表明美光已经成为HBM之战的合法竞争者，尽管美光宣布了量产并将它纳入英伟达的H200芯片，毛利率激增以及众多终端市场创纪录的需求水平预计将在未来几年内大幅降低市盈率。HBM产能将在2024年之前售罄，美光正在积极扩大生产能力。

美光已设定了一个大胆的目标，三星正在努力解决产量问题。当业务蓬勃发展且需求超过供应（或某些外部冲击减少供应）时，因此不适合三星的NCF设计。2023年上半年DRAM销售停滞不前就是明证。据报道已赢得GB200设计。